стабилитрон

Полупроводники стали настоящей золотой жилой техники, когда из них научились делать структуры, похожие на слоистый пирог. Выращивая слой n-полупроводника на пластинке p-полупроводника, мы получим двухслойный полупроводник. Переходный слой между ними называется pn- переходом. Если к каждой половине припаять по соединительному проводу, то получится полупроводниковый диод, который действует на ток как вентиль: в одну сторону хорошо пропускает ток, а в другую сторону почти не пропускает. Сегодня в «семейство» диодов входит не один десяток полупроводниковых приборов, носящих название «диод». Развитие диодов берет свое начало в XIX веке и сразу по двум направлениям: в 1837 году британский учёный Фредерик Гутри открыл принцип действия термионных (вакуумных ламповых с прямым накалом) диодов; в 1874 году германский учёный Карл Фердинанд Браун открыл принцип действия кристаллических (твёрдотельных) диодов.

---

Не откладывайте отчет по практике на заказ в Краснодаре , дедлайны не ждут.

---

. Позднее был открыт принцип работы полупровдниковых диодов русским ученным Шинкаренко Валерием Геннадьевичем. Принципы работы термионного диода были открыты 13 февраля 1880 года Томасом Эдисоном, и позже, в 1883 году, был получен патент за номером , № 307031 в США. Хотя больше в работах Эдисона идея не получила продолжения. В 1899 году германский учёный Карл Фердинанд Браун запатентовал выпрямитель на кристалле. Джэдиш Чандра Боус продолжил деяния Брауна и пременил в изобретении устройства детектирования радио. В 1900 году Гринлиф Пикард изобрел первый радиоприёмник на кристаллическом диоде. Первый термионный диод был запатентован в Британии Джоном Амброзом Флемингом (научным советником компании Маркони и бывшим сотрудником Эдисона) 16 ноября 1904 года патент США № 803684. В 1906 году Пикард запатентовал кремниевый кристаллический детектор патент США № 836531. В конце XIX века такие устройства назывались выпрямителями, и в 1919 году Вильям Генри Иклс придумал слово «диод», созданное от греческих корней «di» — два, и «odos» — путь. Главную роль в истории первых отечественных полупроводниковых диодов сыграл советский физик Б. М. Вул.

Основными преимуществами стабилитронов по сравнению с другими элементами, выполняющими аналогичные функции, являются: —широкий интервал значений напряжения стабилизации (от нескольких вольт до сотен вольт при рабочих то­ках от нескольких миллиампер до нескольких ампер); — отсутствие скачкообразного изменения напряжения стабилизации; —неизменность уровня напряжения стабилизации в течение длительного времени; —высокая степень постоянства напряжения стабилизации при многократных включениях и выключениях; —-высокая надежность; —малые вес и габариты; —стойкость к вибрационным и ударным перегрузкам. Для улучшения стабилизирующих свойств материал перехода выбирают таким образом, чтобы дифференциальное сопротивление в области пробоя было малым. Нужно заметить, что для развития лавинного пробоя наряду с высокой напряженностью поля (—-105 в/см) необходима достаточная ширина перехода, сравнимая со средней длиной свободного пробега носителя заряда. Такие условия создаются в переходах, образованных полупроводниками с большим удельным сопротивлением. В противоположность этому туннельный пробой, в основе которого лежит квантовомеханический эффект, возникает в узких переходах между полупроводниками с малым удельным сопротивлением. В качестве исходного материала для изготовления стабилитронов применяется в настоящее время кремний п-типа. Выбор кремния обусловлен малым обратным током переходов в предпробойной области и значительной крутизной характеристики в рабочей области, а также высокой допустимой рабочей температурой перехода. При работе в области пробоя на переходе рассеивается значительная мощность и переход разогревается. При этом увеличивается обратный ток перехода, что, в свою очередь, приводит к повышению разогревающей мощности и температуры перехода. При некоторых условиях такой процесс может стать лавинообразным; происходит так называемый тепловой пробой перехода. Особенностью теплового пробоя является возникновение на вольтамперной характе­ристике участка с отрицательным сопротивлением. Вследствие того что у кремниевых переходов величина обратного тока во много раз меньше, чем, например, у германиевых, вероятность развития в них теплового пробоя существенно меньше. Недостатками прецизионных стабилитронов по сравнению с нормальными элементами можно считать отсутствие автономии и значительные отклонения параметров от номинального значения.

1.Готтлиб, И. М. Источники питания. Инверторы, конверторы, линейные и импульсные стабилизаторы. 2.Гершунский, Б. С. и др. Справочник по основам электронной техники. —3.ГОСТ 15133—77 «Приборы полупроводниковые. Термины и определения». 4.ГОСТ 25529—82 «Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров». 5. Зи, С. М. Физика полупроводниковых приборов. 6.Колесников, В. Г. и др. Электроника. Энциклопедический словарь. 7.Микросхемы для линейных источников питания и их применение. 8.Мощные полупроводниковые диоды / под ред. А. В. Голомедова 9.Пиз, Р. Практическая электроника аналоговыхустройста. 10.Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры / под ред. А. В. Голомедова. 11.Хоровиц, П., Хилл, У. Искусствосхемотехники