процессы плазмохимического травления в технологии ИС

Микроэлектроника – достаточно бурно развивающаяся область электронной техники. К интегральным схемам современная техника применяет очень большие требования по надежности, информационной емкости, быстродействию, а также и другим понятиям. Поэтому основная тенденция развития микроэкономики направлена на повышение степени интеграции и информационной емкости интегральных схем. Этого можно достичь путем перехода от больших интегральных схем к сверхбольшим и ультрабольшим, а также за счет уменьшения размеров элементов данных схем. Известные жидкостные процессы технологической обработки материалов при создании микроструктур не могут обеспечить изготовление интегральных схем с субмикронными размерами. Начиная с 70-х годов во всем мире, идет поиск альтернативных технологий на базе «сухих» процессов. Наиболее перспективными оказались технологии, где используется низкотемпературная газоразрядная плазма. Один из первых плазменных процессов, который использовался с 1968 года – это удаление фоторезиста в кислородной плазме. Но при недостаточном понимании данного процесса до 1972 – 1973 года пришлось отказаться от его использования.

---

Качественная дипломная работа под заказ в Воронеже . Обращайтесь в Work5.

---

. В эти же годы стал проявляться интерес к плазменным методам получения пленок диоксида кремния, и травлению неорганических металлов кремния. С использованием низкотемпературной плазмы к данному времени разработаны и внедрены в электронной технике технологические процессы, такие как обработка и удаление резистов, плазменное травление, плазменное получение различных пленок и слоев Преимущества плазменных технологий в сравнении с жидкостными следующие: • Увеличивается разрешительная способность с уменьшением размеров элементов интегральных схем; • Высокая селективность процессов; • Возможность контролировать ход и окончание процесса непрерывно; • Создание автоматизированных технологических циклов. Данные преимущества дали толчок к разработке и применению плазмохимии в технологии интегральных схем. Но сложность и многообразие физико-механических процессов, не позволили полностью реализовать все преимущества плазменных технологий.

При переходе к субмикронной технологии жидкостные методы травления становятся неприемлемыми в силу ограничений по выходным характеристикам процесса. При использовании плазмохимических и ионно-плазменных методов травления регулирование состава плазмообразующего газа и параметров разряда позволяет варьировать скорости целевых процессов, их анизотропию и селективность в соответствии с требованиями, предъявляемыми к размерам и характеристикам изделий. В технологии ИС получили применение три основных системы «сухого» травления материалов, основанные на химическом взаимодействии ХАЧ с обрабатываемой поверхностью, физическом распылении поверхности ускоренными ионами.

1. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. М: Энергоатомиздат, 1987. 2. Данилин Б.С., Киреев В.Ю., Кузнецов В.И. Рабочие газы и их влияние на параметры процесса травления. Электр.техн., 1982. 3. Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионно-плазменная обработка материалов. М: Радио и связь, 1986. 4. Орловский А.А., Словецкий Д.И. Проблемы плазмохимического травления в микроэлектронике. Микроэлектроника, 1987. 5. Плазменная технология в производстве СБИС. Под ред. Айнспрука Н., Брауна Д. М.: Мир,1987.