Исследование температурных свойств биполярных транзисторов

Транзисторы являются полупроводниковыми приборами, предназначенные для усилений, генерирования и преобразований электрических сигналов. Позволяют регулировать токи в электрических цепях. Актуальность выбранного для изучения вопроса напрямую связана с тем, что наиболее часто для работы при повышенных температурах применяются кремниевые транзисторы. Предельная рабочая температура у этих приборов составляет 125-150°С в то время как для германиевых транзисторов – около 600С. На частотные свойства транзисторов большое влияние оказывают емкости эмиттерного и коллекторного р–n переходов. Целью данной работы является изучение актуальной информации об исследованиях температурных свойств биполярных транзисторов. Задачами данной работы являются: подробно рассмотреть устройство и принцип действия биполярного транзистора, подробно рассмотреть температурные и частотные свойства транзисторов. При написании данной работы были использованы научная и учебно-методическая литература, статьи в периодических изданиях и интернет ресурсы. Основными источниками, раскрывающими теоретические основы исследований температурных свойств биполярных транзисторов, явились работы Белова И.

---

Если вам нужна презентация под заказ , заходите на сайт Work5 и рассчитайте стоимость её выполнения.

---

.Ф., Молчанова А.А., Новикова Ю.В., Цыкина Г. С. В данных источниках подробно рассмотрены значимые на данный момент времени исследования температурных свойств биполярных транзисторов. Анализируя изученные источники, можно сказать о широкой изученности и освещённости данной темы всеми авторами и приводимыми ими примерами. Работа состоит из введения, 2 параграфов и заключения.

Анализируя представленную информацию, можно сказать, что транзисторы бывают в основном двух видов: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. Биполярные транзисторы это потомки ламповых триодов, тех что стояли в телевизорах 20 -го века. Триоды ушли в небытие и уступили дорогу более функциональным собратьям – транзисторам, а точнее биполярным транзисторам. Отличия n-p-n транзисторов от p-n-p транзисторов состоят лишь в том что являются переносчиками электрических зарядов. Т.е. для p-n-p транзисторов электроны перемещаются от эмиттеров к коллекторам и управляются базами. Для n-p-n транзисторов электроны идут уже от коллекторов к эмиттерам и управляются базами. В итоге приходим к тому, что для того чтобы в схемах заменять транзисторы одного типа проводимости на другой достаточно изменять полярности приложенных напряжений. Или поменять полярности источников питаний. Подводя итоги работы, можно сказать, что температурные свойства транзисторов в схемах с ОБ лучше, чем в схеме с ОЭ. Например, если при температурах 20°С германиевые транзисторы имели коэффициенты передач токов эмиттеров h21 = 50, токов коллекторов Iк = 100 мА, токов неосновных носителей Iкб0 = 10 мкА, то при изменениях температур с 20°С до 70 °С у германиевых транзисторов в схемах с ОБ произойдут увеличения токов Iкб0 в 32 раза, то есть токи Iкб0 станут равны 320 мкА, а токи коллекторов Iк = 100.32 мА. Такие незначительные увеличения токов коллекторов при изменении температур на +50°С практически не нарушат работы транзисторов.

1.Барретт С.Ф.; Пак, Д.Дж. Встраиваемые системы. Проектирование приложений на микроконтроллерах семейства 68HC12/HCS12 с применением языка C; - , 2014. – 361 c. 2.Белов И.Ф.; Дрызго, Е.В.; Суханов, Ю.И. Справочник по бытовой приемно-усилительной радиоаппаратуре; - , 2017. – 313 c. 3.Зайцев А.А.; Миркин, А.И.; Моряков, В.В. и др. Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности Справочник; - , 2012. – 393 c. 4.Молчанов А.А.; Волкогон, В.П.; Лоза, Ю.Х. и др. Проектирование многофункциональных интегральных схем; - , 2015. – 143 c. 5.Новиков Ю.В. Основы цифровой схемотехники; - , 2015. – 379 c. 6.Петухов В.М. Маломощные транзисторы и их зарубежные аналоги Справочник; - , 2015. – 388 c. 7.Петухов В.М. Полевые и высокочастотные биполярные транзисторы средней и большой мощности и их зарубежные аналоги Справочник; - , 2013. – 371 c. 8.Селютин В.А. Автоматизированное проектирование топологии БИС; - 2016. – 112 c. 9.Сучков Д.И. P-CAD версии 4.5, 8.5-8.7 Accel EDA версии 15.х; - , 2014. – 376 c. 10.Уваров А.С. P–CAD. Проектирование и конструирование электронных устройств; - , 2017. – 246 c. 11.Цыкин Г. С. Трансформаторы низкой частоты / Г. С. Цыкин – М.: Книга по Требованию, 2012. – 424 с. 12.Цыкина А. В. Проектирование транзисторных усилителей низкой частоты, 1967. – 184 c.